I

  1. 指代电流的符号。
  2. 铝、铜、或铁的交错的铠装。
     

I2R = V2/R(Power) - I2R = V2/R(电能)

不可逆转的耗散性能量损耗(单位为瓦特)的欧姆公式,I=安培(电流),R=欧姆(电阻),V=瓦(电压)。
 

I/O [Input/Output] -输入/输出

输入/输出
 

IACS [International Annealed Copper Standard]

国际退火()标准
 

IC [Integrated Circuit]

参见 集成电路
 

IC Chip-集成电路芯片

参见 集成电路
 

IC Chip Level-集成电路(IC)芯片等级 

电子互连设备封装的五个等级的第一个,在这个等级中IC芯片直接加到IC封装中。这个等级表示为0级,因为它不需要电子连接器。
 

IC Package-集成电路封装

  1. IC芯片和载体组件的组合。
  2. 封装对板的电子互连设备的术语。
     

 ICE [In-Circuit Emulator]-在线仿真器

在线仿真器(ICE)。硬件和软件开发系统之间的桥梁。实时1/0调试的硬件-软件装置。ICE放置一个微处理器来排除系统故障幷进行系统调试。模仿的微处理器可以停止,可以对其注册信息进行检查或修改。
 

ID [Inside Diameter]-内径

内部直径
 

IDC [Insulation Displacement Connection]-绝缘压穿连接

绝缘压穿连接

参见 IDT
 

IDT [Insulation Displacement Technology]-绝缘置换技术

绝缘置换技术。一种终接方法,即把绝缘电线压成一个宽度比导线直径小的接线槽。槽的锋利面代替绝缘体幷在导线和槽壁之间产生一个永久性的电气接口。

IDT是莫仕的术语。通常您会看到这个技术被称作IDC
 

IEC [Interexchange Carrier]

  1. 互换载波。长途电信局。

  2. 国际电工委员会。公制连接器的美国标准组织。
     

IEEE [Institute of Electrical and Electronics Engineers]-电气电子工程师学会

电气电子工程师学会。电气和电子工程师的全球专业协会,它为电信和计算应用制定标准。
 

IEEE 488

数据传输行业主要使用的输入/输出连接器。

参见 IEEE
 

IEEE 1394

适用于数字和多媒体互连的封装标准。莫仕的IEEE 1394产品包括标准6针到微缩4针来定制互连。这些都是应用产品(如PC,数码相机等)的高速系列解决方案。
 

IF [Intermedate Frequency]

中频
 

IGFET [Insulated-Gate Field Effect Transistor]

绝缘栅场效应晶体管
 

 Ignition Terminal-点火端子

为汽车点火设计的无焊终端。
 

IIL or I'L

集成注入逻辑。IC逻辑家庭中最新的一个,它结合双极速度、MOS电路密度、和CMOS低功率消耗。也叫做注入平方逻辑。
 

Immersed Plating-浸入电镀

把针脚/终端部份浸入金溶液中进行接点电镀。通常用来选择性的电镀弹带式针脚。
 

Immersion Plating (Galvanic Displacement)-浸镀(珈伐尼置换)

通过基体金属的部份置换在某个基体金属上形成薄的金属涂层的化学沉积。


Impedance-阻抗

特定电路的电阻。通过等式Z=V/I来测量电阻,V是输入电压,I是电流,Z是阻抗。降低系统的接地阻抗可提高系统稳定性和电气性能。
 

Impedance Match-阻抗匹配

某种条件,在此条件下元件或电路的阻抗等于电源的阻抗或传输线的波阻抗,从而把能量最大化的从电源传输到负载,幷使反射最小化,失真最小化。
 

Impedance Matching Stub-阻抗匹配短线

切掉的一节传输线、对、或导线,用来与负载阻抗相匹配。也叫做匹配短线。
 

Impedance Matching Transformer-阻抗匹配变压器

用于使电路阻抗与另一线路阻抗相匹配的变压器。
 

Impedance, Characteristic-阻抗、特性

在无限长度的传输电缆中,它是动态应用电压与电压作用点上的复合动态电流的比率。或者,当传输电缆与电缆的输出终端连接时,使传输电缆似乎无穷长的阻抗。对于一个波导,就是当波导匹配中止时,rms电压与直径上某一点的总rms纵向电流的比率。
 

Impedance, High-阻抗,高

一般说来,25,000欧姆或者更高的区域。


Impedance, Low-阻抗,低

 一般说来,1600欧姆的区域
 

Impregnate-注入

用化合物来填充材料的空洞和空隙。这不是指完全填充也不是指永久性的膜来完全涂覆表面。
 

Impulse-脉冲

参见 脉冲
 

Impurities-混杂物

在半导体制造过程中添加到硅或锗中的材料,这是为了按需建立材料的P型和N型部份。用作杂质的材料包括硼、磷、和砷。
 

IMSA [International Municipal Signal Association]

国际市政信号协会